igbt和mosfet的区别(igbt mos 区别)

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　　 IGBT(绝缘栅双极晶体管)

　　什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？IGBT是“绝缘栅双极晶体管”的首字母缩写，又称绝缘栅双极晶体管。

　　 IGBT属于功率半导体器件晶体管领域。

　　功率半导体器件的特性除了IGBT，功率半导体器件(晶体管领域)的代表产品还有MOSFET和双极，主要用作半导体开关。

　　根据各自的开关速度，双极适合中速开关，MOSFET适合高频领域。

　　 IGBT是以MOSFET结构为输入部分，以双极结构为输出部分的元件。通过两种成分的复合，它不仅是一种使用电子和空穴两种载流子的双极型元件，而且是一种具有低饱和电压(相当于功率MOSFET的低导通电阻)和快速开关特性的晶体管。

　　虽然它具有快速开关特性，但仍不如功率MOSFET，这是IGBT的弱点。

　　金属氧化物半导体场效应晶体管

　　指的是金属氧化物半导体三层结构的场效应晶体管(场效应晶体管)。

　　双极的

　　它指的是一种电流操作型晶体管，采用双极型元件，将P型和N型两种半导体做成n-p-n和p-n-p结构。

　　 IGBT的适用范围

　　功率半导体的应用范围功率半导体分为由元件单元组成的分立元件和由基本元件组成的模块。

　　 IGBT也分为分立元件和模块，有其适用范围。

　　下图在开关(工作)频率和输出电容的关系图中显示了IGBT基功率半导体的应用范围。

　　 IGBT市场

　　 IGBT的应用领域作为功率半导体，IGBT用于从车辆应用到工业设备、消费电子产品等的各种应用中。从电车、HEV/EV等高输出电容的三相电机控制逆变器的应用，到UPS、工业设备电源的升压控制应用，以及IH(电磁感应加热)家用灶具的谐振应用，其应用范围正在逐步扩大。

　　下图了IGBT的应用领域。

　　资料来源罗姆

　　作者罗门

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